Láser SLT | Q-switched 532 nm Frecuencia duplicada Nd:YAG |
Energía por pulso | 0,2 a 2,0 mJ, casi continua |
Tamaño del punto de tratamiento | 400 μm en el foco del haz de puntería |
Max. Tasa de repetición | > 10 Hz |
Ancho de pulso | 3 ns |
Haz de puntería | rojo, diodo 635 nm / 1 mW, variable |
Filtro de protección láser | permanente |
Divergencia del haz | 3,2º |
Láser clase | 3b / 532 nm, E = 2,5 mJ Rayo objetivo: 635 nm, P < 1 mW |
Láser Nd:YAG | Q-switched 1064 nm Nd:YAG |
Energía por impulso | 0,3 a 12 mJ, casi infinitamente variable |
Tamaño del punto de tratamiento | 400 μm en foco |
Max. Tasa de repetición | 0,5 a 2 Hz |
Ancho de pulso | 4ns +4/-0ns |
Diodo rojo 635 nm / 1 mW, variable | |
Filtro de protección láser | permanente |
Divergencia del haz | 0,5 m² |
Requisitos de alimentación | 100 a 240 V, 50/60 Hz, 600 vatios |
Láser clase | 3b / 532 nm, E = 2,5 mJ haz de puntería: 635 nm, P < 1 mW |